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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護(hù)的共模濾波器
  • 新聞稿
九月 29, 2020

Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護(hù)的共模濾波器

具有超寬差分通帶的高效組合功能的器件

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Nexperia全新車用TrEOS ESD保護(hù)器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
  • 新聞稿
九月 15, 2020

Nexperia全新車用TrEOS ESD保護(hù)器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度

具備行業(yè)基準(zhǔn)性能的器件,符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可保護(hù)信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)

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Nexperia“Power Live”在線研討會(huì)于2020年7月2日和3日正式上線
  • 新聞稿
六月 29, 2020

Nexperia“Power Live”在線研討會(huì)于2020年7月2日和3日正式上線

參與有關(guān)GaN、鍺化硅、汽車應(yīng)用、先進(jìn)封裝等等主題的現(xiàn)場討論;觀看點(diǎn)播視頻演示

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Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
  • 新聞稿
六月 23, 2020

Nexperia推出采用小型無引腳耐用型DFN封裝的符合AEC-Q101的分立半導(dǎo)體產(chǎn)品組合

相比現(xiàn)有SMD器件可節(jié)省90%空間,支持AOI檢測

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Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
  • 新聞稿
六月 10, 2020

Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

新一代氮化鎵技術(shù)針對汽車、5G 和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用;新器件采用了傳統(tǒng)的TO-247封裝和創(chuàng)新的銅夾片貼片封裝CCPAK

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Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性,能夠節(jié)省空間
  • 新聞稿
五月 27, 2020

Nexperia的鍺化硅 (SiGe)整流器兼具一流的高效率、熱穩(wěn)定性,能夠節(jié)省空間

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的120 V、150 V和200 V設(shè)備兼具肖特基和快速恢復(fù)二極管的最佳屬性

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Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅(jiān)固LFPAK56封裝
  • 新聞稿
五月 07, 2020

Nexperia發(fā)布P溝道MOSFET,采用節(jié)省空間的堅(jiān)固LFPAK56封裝

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用

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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
  • 新聞稿
四月 22, 2020

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

采用易于使用的封裝,適用于可穿戴設(shè)備和大批量應(yīng)用

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安世半導(dǎo)體CEO Frans Scheper退休 張學(xué)政就任安世半導(dǎo)體CEO
  • 新聞稿
三月 24, 2020

安世半導(dǎo)體CEO Frans Scheper退休 張學(xué)政就任安世半導(dǎo)體CEO

2020年3月24日,Nexperia對外宣布,Nexperia首席執(zhí)行官Frans ...

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Nexperia推出首款支持USB4標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)器件
  • 新聞稿
三月 10, 2020

Nexperia推出首款支持USB4標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)器件

TrEOS二極管完全支持USB4TM標(biāo)準(zhǔn);具有低鉗位、低電容、低泄露特性,極高的魯棒性

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