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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT
  • 新聞稿
八月 28, 2024

Nexperia推出采用空間和能源效率較高的DFN2020D-3封裝的熱門功率BJT

滿足行業對采用更現代封裝的功率雙極結型晶體管的需求

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Nexperia擴展功率器件產品組合,新增標準和車規級理想二極管
  • 新聞稿
八月 22, 2024

Nexperia擴展功率器件產品組合,新增標準和車規級理想二極管

低壓理想二極管可將功率損耗降低一個量級 Nexperia宣布為其持續擴展的功率器件產品組合新增兩款理想二極管IC。其中,NID5100適用于標準工業和消費應用,而NID5100-Q100已獲 ...

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Nexperia’s response to news that semiconductors are found in Russian military equipment
  • Press statement
八月 13, 2024

Nexperia’s response to news that semiconductors are ...

Nexperia strongly condemns the illegal invasion of Ukraine by Russia. We comply with ...

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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性
  • 新聞稿
八月 07, 2024

Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性

針對開關應用中的低RDSon、低尖峰和高效率進行了優化

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Nexperia為其功率器件產品組合添加了具有出色限流精度的新型大電流eFuse
  • 新聞稿
七月 25, 2024

Nexperia為其功率器件產品組合添加了具有出色限流精度的新型大電流eFuse

集成自動復位低電阻FET,降低工作功耗 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出NPS3102A和NPS3102B電子保險絲(eFuse),進一步擴充其不斷發展的功率器 ...

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Nexperia的650 V兩種超快速恢復整流二極管采用D2PAK真雙引腳封裝,具備高效率和高可靠性
  • 新聞稿
七月 10, 2024

Nexperia的650 V兩種超快速恢復整流二極管采用D2PAK真雙引腳封裝,具備高效率和高可靠性

封裝配置使整流二極管符合更高的爬電距離和電氣間隙標準

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 Nexperia to Invest 200 Million USD in Hamburg
  • 新聞稿
六月 27, 2024

Nexperia to Invest 200 Million USD in Hamburg

Semiconductor manufacturer Nexperia today announced plans to invest USD 200 million (appx. 184 ...

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Nexperia的650 V SiC二極管產品組合現可滿足汽車和更廣泛的工業應用需求
  • 新聞稿
六月 11, 2024

Nexperia的650 V SiC二極管產品組合現可滿足汽車和更廣泛的工業應用需求

Nexperia今天宣布,其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二極管現已符合汽車標準(PSC1065H-Q),并采用真雙引腳(R2P) DPAK ...

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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
  • 新聞稿
五月 21, 2024

Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝

1200 V器件采用SMD-7封裝,性能領先同類產品

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Nexperia公布2023年財務業績
  • 新聞稿
五月 06, 2024

Nexperia公布2023年財務業績

戰略投資和持續進展為未來增長鋪平道路

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