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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

新聞稿

新聞稿

Nexperia welcomes confirmation of Nowi acquisition
  • 新聞稿
十一月 27, 2023

Nexperia welcomes confirmation of Nowi acquisition

Nexperia welcomes the conclusion made by the Ministry of Economic Affairs and Climate Policy in ...

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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
  • 新聞稿
十一月 13, 2023

Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

此次合作將利用雙方的協(xié)同優(yōu)勢進一步提升碳化硅(SiC)技術(shù)

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Vishay Intertechnology將以1.77億美元收購Nexperia紐波特晶圓廠
  • 新聞稿
十一月 08, 2023

Vishay Intertechnology將以1.77億美元收購Nexperia紐波特晶圓廠

收購指明工廠發(fā)展前景。Nexperia繼續(xù)直面英國政府2022年11月不當指令。

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Nexperia超低結(jié)電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口
  • 新聞稿
十月 11, 2023

Nexperia超低結(jié)電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口

可靠的保護器件可大幅降低對信號完整性的影響

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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
  • 新聞稿
十月 10, 2023

Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊

雙方就SiC模塊的合作進一步提升了模塊緊湊度和功率密度

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Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高功率負載開關(guān)
  • 新聞稿
九月 27, 2023

Nexperia雙通道500 mA RET可在空間受限的應(yīng)用中實現(xiàn)高功率負載開關(guān)

采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝,并集成BJT和電阻,加倍節(jié)省空間

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Nexperia 設(shè)定 2035 年碳中和目標
  • 新聞稿
九月 18, 2023

Nexperia 設(shè)定 2035 年碳中和目標

溫室氣體排放路線圖展示了其對可持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新的承諾

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Nexperia B.V.在Morningstar Sustainalytics的ESG風(fēng)險評級中達到18.7分,打下堅實基礎(chǔ)
  • 新聞稿
九月 08, 2023

Nexperia B.V.在Morningstar ...

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia于2023年7月在Morningstar ...

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Nexperia擴展產(chǎn)品組合, 率先推出集成式5 V負載開關(guān)
  • 新聞稿
八月 17, 2023

Nexperia擴展產(chǎn)品組合, 率先推出集成式5 V負載開關(guān)

精準控制功耗,具備超強系統(tǒng)安全性。

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Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強器
  • 新聞稿
七月 11, 2023

Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強器

實現(xiàn)長達10倍電池壽命,擴展在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用范圍

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