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雙極性晶體管

二極管

ESD保護(hù)、TVS、濾波和信號調(diào)節(jié)ESD保護(hù)

MOSFET

氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應(yīng)用認(rèn)證產(chǎn)品(AEC-Q100/Q101)

USB4連接和兼容性?

由于USB Type-C連接器已成為默認(rèn)標(biāo)準(zhǔn)，USB開發(fā)者論壇(USB-IF)推出USB4規(guī)范作為單一的標(biāo)準(zhǔn)連接協(xié)議。該規(guī)范旨在通過USB Type-C連接器統(tǒng)一有線連接，與USB 3.2、USB 2.0、PCIe DisplayPort和Thunderbolt 3兼容。然而，為了確保對采用不同向后兼容協(xié)議的設(shè)備進(jìn)行有效保護(hù)，需要Nexperia的TrEOS保護(hù)器件為超高速線路提供經(jīng)過優(yōu)化的ESD保護(hù)。

功能框圖

Highlighted components are Nexperia focus products

設(shè)計(jì)考慮因素

  • 每個(gè)差分對20 Gbps（超高速）
  • 需要低插入損耗（信號衰減）和低回波損耗（信號反射）以及低鉗位，以保護(hù)敏感的超高速數(shù)據(jù)線
  • 需要保護(hù)接收器輸入(Rx)的AC耦合，這對于USB4是強(qiáng)制性的
  • 不同的協(xié)議有不同的工作電壓

ESD設(shè)計(jì)工程師指南

下載Nexperia ESD設(shè)計(jì)工程師指南，更好地了解ESD保護(hù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和故障癥狀，以及現(xiàn)代接口的測試和仿真。

 

為USB4選擇ESD保護(hù)器件

新的USB4TM規(guī)范引入了一些更改，這些更改對ESD保護(hù)器件的選擇產(chǎn)生了影響。顯然，ESD保護(hù)需要為系統(tǒng)增加低插入損耗（信號衰減）和低回波損耗（信號反射），同時(shí)提供低鉗位電壓以保護(hù)敏感的高速數(shù)據(jù)線。但是，通過比較USB4和USB 3.2規(guī)范，我們發(fā)現(xiàn)了一個(gè)很容易忽略的問題——?jiǎng)幼麟妷骸?/a>