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雙極性晶體管

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ESD保護、TVS、濾波和信號調節ESD保護

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氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

N溝道MOSFET低VCEsat(BISS)PNP晶體管組合

具備組合優勢的二合一解決方案

您的設計能否受益于MOSFET雙極性晶體管組合?這些器件將PNP突破性小信號(BISS)晶體管與N溝道MOSFET相結合,提供大量性能和設計優勢,包括高效率、器件數減少并節省成本和電路板空間。

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Low VCEsat (BISS) transistors PNP - N-channel MOSFET combination
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PBSM5240PF 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET EndOfLife
PBSM5240PFH 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標題 類型 日期
DFN2020-6_SOT1118_mk.png plastic, thermal enhanced ultra thin small outline package; no leads; 6 terminals; 0.65 mm pitch; 2 mm x 2 mm x 0.65 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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