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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節ESD保護

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氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

GANE2R7-100CBA

100 V, 2.7 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a 4.45 mm x 2.30 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)

參數類型

型號 Package version Package name Product status Nr of transistors VDS [max] (V) RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) Tj [max] (°C) QGD [typ] (nC) Ptot [max] (W) VGSth [typ] (V) Ciss [typ] (pF) Coss [typ] (pF) Release date
GANE2R7-100CBA WLCSP22_SOT8089 WLCSP22 Development 1 100 2.7 150 2.5 470 1.1 1400 650 2024-09-17

封裝

型號 可訂購的器件編號,(訂購碼(12NC)) 狀態 標示 封裝 外形圖 回流焊/波峰焊 包裝
GANE2R7-100CBA GANE2R7-100CBAZ
(934667634341)
Development 2R7DCBA no package information

環境信息

型號 可訂購的器件編號 化學成分 RoHS RHF指示符
GANE2R7-100CBA GANE2R7-100CBAZ GANE2R7-100CBA rohs rhf rhf
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How does it work?

The interactive datasheets are based on the Nexperia MOSFET precision electrothermal models. With our interactive datasheets you can simply specify your own conditions interactively. Start by changing the values of the conditions. You can do this by using the sliders in the condition fields. By dragging the sliders you will see how the MOSFET will perform at the new conditions set.

可訂購部件

型號 可訂購的器件編號 訂購代碼(12NC) 封裝 從經銷商處購買
GANE2R7-100CBA GANE2R7-100CBAZ 934667634341 訂單產品