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單低VCEsat (BISS)功率晶體管

使您的設計保持最低功耗和發熱

我們的‘突破性小信號’(BISS)晶體管名副其實,在提供最優電源性能的同時節省空間。這些低VCEsat器件與采用同樣封裝的標準晶體管相比,功率耗損更低, 能效更高。它們的靈活性更高,可幫助簡化電路布局,且采用更小型的封裝,為您節省寶貴的PCB空間。

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Low VCEsat (BISS) power transistors single
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PBSS4620PA-Q 20 V, 6 A NPN low VCEsat transistor Production
PBSS5540Z-Q 40 V low VCEsat PNP transistor Production
PHPT60406NY-Q 40 V, 6 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT60406PY-Q 40 V, 6 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT60410NY-Q 40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT60410PY-Q 40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT60415NY-Q 40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT60415PY-Q 40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT60603NY-Q 60 V, 3 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT60603PY-Q 60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT60606NY-Q 60 V, 6 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT60606PY-Q 60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT60610NY-Q 60 V, 10 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT60610PY-Q 60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT61003NY-Q 100 V, 3 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT61003PY-Q 100 V, 3A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT61006NY-Q 100 V, 6 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT61006PY-Q 100 V, 6 A PNP high power bipolar transistor Production
PHPT61010NY-Q 100 V, 10 A NPN high power bipolar transistor Production
PHPT61010PY-Q 100 V, 10 A PNP high power bipolar transistor Production
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Marcom graphics (1)

文件名稱 標題 類型 日期
LFPAK56_POWER-SO8_SOT669_mk.png plastic, single-ended surface-mounted package; 4 terminals; 4.9 mm x 4.45 mm x 1 mm body Marcom graphics 2017-01-28

Selection guide (1)

文件名稱 標題 類型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023.pdf Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

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