Nexperia、NextPower 80/100V MOSFET製品の
ポートフォリオを拡充し、設(shè)計(jì)の柔軟性をさらに向上
八月 06, 2024
ナイメーヘン -- スイッチング?アプリケーション向けに低RDSon、低スパイク、高効率に最適化
Nexperiaは業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)の5x6mmと8x8mmフットプリントの新しいLFPAK製品を発表し、NextPower 80V/100V MOSFET製品のポートフォリオをさらに拡充しました。これらの新しいNextPower 80V/100V MOSFETは低RDS(on)と低Qrrに最適化されており、サーバー、電源、急速充電器、USB-PDや、各種通信機(jī)器、モーター制御機(jī)器、その他の産業(yè)用機(jī)器などの用途で高効率と低スパイクを?qū)g現(xiàn)します。設(shè)計(jì)者は80Vと100V、1.8mΩ～15mΩのRDS(on) 範(fàn)囲から製品を選択できます。
一般のMOSFETメーカーでは自社製品のスイッチング性能を他社製品と比較する際に、低QG(tot)と低QGDに著目して高効率をアピールするのが通例です。しかし、Nexperiaでは広範(fàn)な研究を行った結(jié)果、Qrrも同様に重要であることを突き止めました。Qrrはスパイクに影響を與え、その結(jié)果、スイッチング時(shí)に発生する電磁干渉（EMI）の量にも影響を與えるからです。NexperiaはQrrに注目してNextPower 80/100 V MOSFETを開発した結(jié)果、スパイクのレベルが大幅に低減し、それによって発生するEMIの量も減少しました。これにより、電磁両立性（EMC）試験に不合格となった場合に外付け部品を追加するための再設(shè)計(jì)が不要になるため、エンド?ユーザーにとって大きなメリットとなります。
これらの新しいMOSFETは現(xiàn)在流通している製品に比べてオン抵抗（RDSon）が最大31%低いという特長を持っています。なお、今年後半には1.2mΩの低RDS(on)を持つ80VのLFPAK88 MOSFETと高電力密度のCCPAK1212パッケージのMOSFETを追加し、NextPower 80V/100Vポートフォリオをさらに強(qiáng)化する予定です。Nexperiaはこれらの製品のデザイン?インと品質(zhì)評価をこれまで以上に行いやすくするため、受賞歴のあるインタラクティブなデータシートを公表し、エンジニアに製品の動作に関する包括的で使いやすいノウハウを提供します。
NexperiaのNextPower 80V/100V MOSFET製品のラインナップについて、詳細(xì)は以下のサイトをご覧ください。
https://www.nexperia.com/nextpower-80-100V-MOSFETs
Nexperiaについて
オランダに本社を置くNexperiaはヨーロッパの豊かな歴史を持ち、歐州、アジア、米國で14,000人以上の従業(yè)員を擁するグローバル半導(dǎo)體企業(yè)です。Nexperiaは必要不可欠な半導(dǎo)體の開発?製造におけるエキスパートとして、自動車、産業(yè)からモバイル、コンシューマ向けアプリケーションまで、世界のほぼすべての電子機(jī)器の基本機(jī)能を?qū)g現(xiàn)する部品を提供しています。世界のお客様に向けてサービスを提供しており、製品の年間出荷臺數(shù)は1,000億以上に及びます。Nexperiaの製品はプロセス、サイズ、消費(fèi)電力、性能における効率性のベンチマークとして高い評価を得ています。Nexperiaは革新性、効率性、持続可能性、厳しい業(yè)界要件への対応に注力しており、そのことは充実したIPポートフォリオ、製品ラインナップの拡充、IATF16949、ISO9001、ISO14001、ISO45001規(guī)格への準(zhǔn)拠に現(xiàn)れています。
Nexperia: Efficiency wins.
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