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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度

五月 27, 2021

Nijmegen -- 領先的SOA和雪崩特性提高了耐用性和可靠性

基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。

Nexperia產品市場經理Neil Massey評論道:“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。低RDS(on)能夠讓我們將更多芯片封入在封裝中,從而提高功率密度,縮小器件管腳尺寸。”

這些新型功率MOSFET的尺寸僅為8 x 8 x 1.7 mm,具有領先的線性模式/安全工作區域(SOA)特性,可在大電流條件下安全可靠地開關工作。在1 ms、20 VDS的工作條件下,由于芯片和封裝的組合,SOA為35 A,而在10 ms、20 VDS的工作條件下,此時封裝將起主導作用,SOA為17 A。這些數據優于競品1.5倍至2倍。這些器件還提供最佳單脈沖雪崩額定值(EAS) 2.3 J以及超強ID電流額定值500 A,與其他競品不同的是,該值是測量得出的極限,而非理論上的極限。

憑借Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET在尺寸和性能方面的優勢,設計人員能夠用一個新型LFPAK88替換兩個并行老式器件,從而簡化制造和提高可靠性。符合AEC-Q101標準的BUK7S0R5-40H器件提供超出車規標準要求兩倍的可靠性,適合制動、助力轉向、電池防反保護、e-fuse、DC-DC轉換器和電機控制應用。工業PSMNR55-40SSH MOSFET適合電動工具、電器、風扇、電動自行車、滑板車和輪椅中的電池隔離、電流限制、e-fuse、電機控制、同步整流和負載開關應用。

有關更多信息,包括產品規范和數據手冊,請訪問www.nexperia.com/lfpak88。  需詳細了解LFPAK88銅夾片封裝的獨特構造,請觀看https://bit.ly/3yd47xQ

 

關于Nexperia

Nexperia,作為生產大批量基礎半導體器件的專家,其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產品,產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗,Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務,并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產權組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。

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