Nexperia宣布面向高速數據線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產品
十二月 14, 2022奈梅亨 -- PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓，為敏感系統的保護提供了一種高效的解決方案
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。
Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示：“Nexperia開發了TrEOS產品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用閃存等應用的高性能ESD保護解決方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開關速度可為高速數據線提供極為有效的ESD峰值抑制性能，而其低觸發電壓有助于顯著降低IEC61000-4-5 8/20 µs浪涌脈沖所含的能量。”
單數據線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝，觸發電壓為6.3 V TLP，典型器件魯棒性和電容分別為25 A 8/20 µs和0.7 pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16 A 100 ns TLP時僅為2.4 V，在20 A 8/20 µs浪涌時僅為3.4 V。雙數據線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝，觸發電壓為8 V，典型器件魯棒性超過14 A 8/20 µs，典型器件電容為0.82 pF。
雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護作用，但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過7.5 GHz，因此適用于5 Gbps時的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。
關于新款器件的更多信息，包括產品規范和數據手冊，請訪問：nexperia.cn/PESD4V0Y1BBSF以及nexperia.cn/PESD4V0X2UM。關于Nexperia完整的Nexperia TrEOS產品組合，請訪問nexperia.cn/TrEOS。
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Nexperia，作為生產大批量基礎半導體二極管件的專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護二極管件、MOSFET二極管件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。
憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過14,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001認證。
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