NexperiaLFPAK MOSFET系列全新8 x 8 mm器件使得功率密度提高48倍
五月 07, 2019奈梅亨 -- LFPAK88 40 V系列,汽車和工業產品系列,空間效率提升60%

Nexperia,分立器件、邏輯器件和MOSFET器件全球領導者,今日宣布推出其MOSFET和LFPAK系列的新封裝。該封裝與其最新的硅技術相結合,可產生40 V MOSFET,且提供0.7 m?的低RDS(on)。LFPAK88器件取代了較大的功率封裝,如D²PAK和D²PAK-7,8 x 8 mm的尺寸使得占位面積減少了60%,外形尺寸減小了64%。
與其他性能通常受內部接合線限制的封裝不同,LFPAK88器件采用銅夾和焊接芯片連接結構,可降低電阻和熱阻,實現良好的電流擴散和散熱。此外,銅夾的熱導性能還幫助減少了熱點的形成,從而改善了雪崩能量(Eas)和線性模式(SOA)性能。經驗證的425 A高連續電流額定值ID(max)與0.7 m?低RDS(on) 結合在小尺寸封裝中,具有市場領先的功率密度,與D2PAK封裝器件相比,最高可提高48倍。
此外,LFPAK88具有低應力鷗翼引腳,是一種更堅固耐用且耐熱的封裝,其可靠性水平比AEC-Q101要求的性能高出兩倍多。Nexperia產品經理Neil Massey評論道:“將LFPAK88與我們的硅技術相結合,可以使MOSFET的功率密度達到D2PAK的48倍。這證明了LFPAK的發明者Nexperia仍然是這項技術的領導者。”
LFPAK88 MOSFET分為汽車級(BUK)和工業級(PSMN)兩種。汽車應用包括制動、動力轉向、反向電池保護和DC-DC轉換器,通過使用這種封裝器件可以節省空間,這點在雙冗余電路中特別有用。工業應用包括電池供電的電動工具、專業電源和電信基礎設施設備。
如需了解有關新型40V LFPAK88 MOSFET的更多信息,包括產品規格和數據手冊,請訪問www.nexperia.com/lfpak88。
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