Nexperia， 分立器件、邏輯器件和MOSFET器件全球領導者，今日宣布采用Trench 11技術實現具有史上最低RDS(on)的NextPower S3 MOSFET，該項突破并不影響其他重要參數，例如漏極電流(ID(max))、安全工作區域(SOA)或柵極電荷QG。

很多應用均需要超低RDS(on)，例如ORing、熱插拔操作、同步整流、電機控制與電池保護等，以便降低I²R損耗并提高效率。然而，具備類似RDS(on)值的一些同類器件，由于縮小晶圓單元間隔，其SOA（評估MOSFET的耐受性）和ID(max))額定電流需要降額。Nexperia的PSMNR58-30YLH MOSFET的最大RDS(on)僅0.67 m?，最大額定漏極電流提升至380A。該參數對電機控制應用尤為重要，因為電機堵轉的瞬間會產生超大電涌，MOSFET必須可以承受這些電涌，才能確保安全可靠運行。一些競爭對手僅提供計算出的ID(max)，但Nexperia產品實測持續電流能力高達380A，并且100%最終生產測試的持續電流值高達190A。

該器件支持LFPAK56 (Power-SO8)和LFPAK33 (Power33)封裝，二者均采用獨特的銅夾結構，可吸收熱應力，提升質量和可靠性。PSMNR58-30YLH采用LFPAK56封裝，這是Nexperia的4引腳Power-SO8封裝，安裝尺寸僅30 mm2，間距1.27 mm。

Nexperia的Power MOSFET產品經理Steven Waterhouse表示：“Nexperia結合其獨有的NextPowerS3超結技術與LFPAK 封裝，提供了具有低RDS(on)、高ID(max)額定電流的MOSFET，同時不影響其SOA等級、質量和可靠性。這使新器件充分滿足要求高性能、高可靠性和高容錯性的應用需求。”其中包括無刷直流(BLDC)電機控制（全橋式三相拓撲）、ORing服務器電源、熱插拔操作和同步整流、電池保護、手機快速充電和直流負荷開關。

如需有關新款低RDS(on) MOSFET的更多信息（包括產品規格和數據手冊），請訪問https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/seeking-the-perfect-power-switch.html

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