基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。

Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列二極管可用于表面貼裝（DPAK R2P和D2PAK R2P）或通孔式（TO-220-2、TO-247-2）器件。現已可提供工程樣品，并計劃于2022年第二季度發布完整產品。Nexperia計劃持續擴充SiC二極管產品組合，預計推出總共72款在650V和1200V電壓、6-20A電流范圍下工作的產品。

隨著人們的能源意識日漸增強，對于具備出色效率和功率密度的高功率應用的需求日益旺盛。而在這方面，硅將很快達到物理極限。Nexperia雙極性分立器件部門總經理Mark Roeloffzen表示：“諸如氮化鎵和碳化硅等寬禁帶半導體現在能夠很好地滿足大批量應用的嚴格要求，為原始設備制造商帶來更高的效率和功率密度，降低系統成本和運營成本。Nexperia廣泛的SiC二極管產品組合將為市場帶來更多選擇和便利性。”

Nexperia的SiC肖特基二極管的初始目標市場是工業和消費類應用，包括：

• 開關模式電源(SMPS)
• AC-DC和DC-DC轉換器
• 電池充電基礎設施
• 不間斷電源(UPS)
• 光伏逆變器

Nexperia還計劃發布車規級器件，用于車輛電氣化應用，如：

• 車載充電器(OBC)
• 逆變器
• 高電壓DC-DC轉換器

SiC肖特基二極管產品組合首推PSC1065H (-J/-K/-L)，該產品由Nexperia開發，旨在滿足汽車與工業市場的需求如需了解新型PSC1065x的更多信息（包括產品規格和數據手冊），請訪www.nexperia.com/sic_diodes

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Nexperia，作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家，其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付1000多億件產品，產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗，Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001 認證。

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