基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS®鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封裝，對于給定R_DS(on)值，芯片尺寸縮小36%，具有更好的穩(wěn)定性和效率。級聯(lián)配置無需復雜的驅(qū)動電路，加快了產(chǎn)品上市速度。該器件在硬開關和軟開關電路中均具有出色的性能，為設計人員提供極大的靈活性。

Nexperia GaN戰(zhàn)略市場總監(jiān)Dilder Chowdhury解釋說：“鈦金級是80 PLUS®規(guī)格中最嚴苛的，滿載條件下要求達到>91%的效率（半載條件下>96%）。對于2 kW及更高功率的服務器電源應用，使用傳統(tǒng)硅器件來實現(xiàn)這種性能水平，電路設計復雜而具有挑戰(zhàn)性。Nexperia新的功率GaN FET非常適合簡潔的無橋圖騰柱PFC電路，使用更少的器件，并能減少尺寸和系統(tǒng)成本。”

Nexperia GAN041-650WSB GaN FET現(xiàn)已大量供貨。 

欲了解更多信息，包括產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊和快速學習視頻，請訪問https://www.nexperia.com/products/gan-fets.html。 

設計人員可以在5月3日至7日舉行的PCIM Digital Days期間訪問Nexperia的展區(qū)，了解Nexperia GaN FET的實際應用。https://pcim.mesago.com 
 

關于Nexperia

Nexperia，作為生產(chǎn)大批量基礎半導體器件的專家，其產(chǎn)品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨，每年可交付900多億件產(chǎn)品，產(chǎn)品符合汽車行業(yè)的嚴苛標準。其產(chǎn)品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面獲得行業(yè)廣泛認可，擁有先進的小尺寸封裝技術，可有效節(jié)省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業(yè)經(jīng)驗，Nexperia持續(xù)不斷地為全球各地的優(yōu)質(zhì)企業(yè)提供高效的產(chǎn)品及服務，并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司，擁有龐大的知識產(chǎn)權組合，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。

Nexperia：效率致勝。

獲取新聞信息，請聯(lián)系：