Nexperia的NextPower 100V功率MOSFET具低Qrr值和175°C高溫指標
二月 27, 2018奈梅亨 -- 新一代器件改善了開關效率，提高了可靠性并降低了EMI
Nexperia（原恩智浦標準產品事業部）今天宣布推出其功率MOSFET產品NextPower 100 V系列。該產品系列具備低反向恢復電荷(Qrr)，且包括采用LFPAK56 (PowerSO8)封裝（結溫可達到175°C）的器件。
NextPower 100 V MOSFET是Nexperia針對高效開關和高可靠應用的最新一代器件。其具備低50%的RDS(on)值和強大的雪崩能量指標，因而是電源、電信和工業設計的理想選擇，尤其適合用于USB-PD、Type-C充電器和適配器及48 V DC-DC適配器。該器件具備低體二極管損耗，其QRR值低至50納庫倫(nC)，從而導致較低的反向恢復電流(IRR)，較低的電壓尖峰(Vpeak)及降低的振鈴紋波（有利于進一步優化死區時間）。
功率MOSFET產品經理Mike Becker表示: “Qrr值是常常被關注的參數，該參數對許多設計方面有重大影響。低的尖峰意味著EMI降低了，同時優化的死區時間進一步實現了效率增益。這也是我們在Nexperia所追求的。我們已經展示了低Qrr值對這兩項功能都是有益的。”
新型NextPower 100 V MOSFET有三種可用的封裝：TO220和I2PAK通孔封裝，及流行的LFPAK56封裝(SMT)。所有封裝的器件都具備175°C的Tj(max) ，且完全符合IPC9592擴展溫度要求，因而NextPower 100 V MOSFET特別適合電信和計算應用。
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Nexperia（原恩智浦標準產品事業部）是全球領先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業制造商，公司于2017年初開始獨立運營。Nexperia注重效率，生產穩定可靠的半導體器件，年產量高達850億件。我們廣泛的產品系列符合汽車行業的嚴苛標準。Nexperia工廠生產的微型封裝業內領先，不僅具有較高的功率與熱效率，還提供同類最佳的品質。
五十多年來，Nexperia一直為全球各地的大型公司提供優質產品，并在亞洲、歐洲和美國擁有11,000名員工，公司擁有龐大的知識產權組合，并獲得了ISO9001、ISO/TS16949、ISO14001和OHSAS18001認證。
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