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雙極性晶體管

二極管

ESD保護、TVS、濾波和信號調節ESD保護

MOSFET

氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)

絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)

模擬和邏輯IC

汽車應用認證產品(AEC-Q100/Q101)

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)

Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)

四月 22, 2020

奈梅亨 -- 采用易于使用的封裝,適用于可穿戴設備和大批量應用

半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia發布了一系列MOSFET產品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動和便攜式產品應用,包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡化了PCB組裝過程。

PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。由于采用了先進工藝流程,這些新器件提供低導通電阻RDS(on),與競爭對手產品相比減小了60%以上,它們還具備優良的ESD性能,低至0.7 V的超低VGS電壓閾值,這個參數對低驅動電壓的便攜式產品應用至關重要。

Nexperia產品經理Sandy Wang評論道:“新一代可穿戴設備不斷突破消費電子技術的界限。智能手機、智能手表、健身跟蹤器和其他創新技術的演進需要微型化MOSFET,用以提供領先的性能和效率,從而實現越來越多的復雜功能。Nexperia擁有很高產能和制造能力,能夠進行擴產,以最大限度地滿足市場需求。”

采用新型DFN0606封裝的九款PMH器件現已上市。有關更多信息,包括產品規格和數據手冊,請訪問 https://efficiencywins.nexperia.com/efficient-products/dfn0606-mosfets-efficiency-in-the-smallest-packages.html

關于Nexperia

Nexperia,作為半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家,其產品廣泛應用于全球各類電子設計。公司豐富的產品組合包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件、氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)以及模擬IC和邏輯IC。Nexperia總部位于荷蘭奈梅亨,每年可交付900多億件產品,產品符合汽車行業的嚴苛標準。其產品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面獲得行業廣泛認可,擁有先進的小尺寸封裝技術,可有效節省功耗及空間。

憑借幾十年來的專業經驗,Nexperia持續不斷地為全球各地的優質企業提供高效的產品及服務,并在亞洲、歐洲和美國擁有超過12,000名員工。Nexperia是聞泰科技股份有限公司(600745.SS)的子公司,擁有龐大的知識產權組合,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和OHSAS 18001認證。

Nexperia:效率致勝。

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